10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.11.004
电化学湿法腐蚀法制备硅微柱阵列
采用TMAH(Tetramethyl Ammonium Hydroxide)腐蚀液在P(100)硅片上制备倒棱台,进而采用电化学湿法刻蚀法制备具有微柱结构的阵列器件.借鉴N型多孔硅的形成理论,提出了微柱的形成模型,分析了微柱的形成条件,并对其主要的几何结构参数之间的关系进行了探讨.结果表明微柱的形成与倒棱台的结构参数、 孔的结构参数以及空间电荷区等因素相关.倒棱台的底面尺寸决定了微柱的结构,且倒棱台开口的大小需要大于平均孔径.微柱直径始终小于2倍的空间电荷区宽度.微柱内载流子的耗尽是微柱未被刻蚀的主要原因.
无机非金属材料、硅微尖阵列、倒棱台、微柱形成模型、HF阳极电化学腐蚀、TMAH各向异性湿法腐蚀
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TN403(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金青年科学基金11005076,11305029
2019-01-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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