VDMOS横向变掺杂终端的优化与设计

摘要：

击穿电压是垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)最重要的参数之一,器件的耐压能力主要由终端决定,终端区耗尽层边界的曲率半径制约了击穿电压的提升.横向变掺杂(Variable Lateral Doping)技术是调整深阱杂质的注入开窗和掩膜间距,在终端形成一个渐变的P型轻掺杂区,使反向偏压下终端区耗尽层边界的曲率半径变大.通过计算机仿真软件Sentaurus TCAD设计了一种650 V横向变掺杂结构终端.仿真结果表明,横向变掺杂结构终端可以有效缩小芯片面积和提高击穿电压,横向变掺杂结构终端的反向击穿电压为700 V,终端长度为118μm.与有相同击穿电压的场限环结构终端相比,其终端长度减小了25.8％.此外,工艺设计复杂,但设计方法可以作为实际制造的参考.

关键词：垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)、场限环、横向变掺杂、击穿电压、终端、功率器件

所属期刊栏目：37

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金重点项目61531016;四川省科技支撑计划重点项目2017GZ0110

在线出版日期：2018-10-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：53-56