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10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.09.011

VDMOS横向变掺杂终端的优化与设计

引用
击穿电压是垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)最重要的参数之一,器件的耐压能力主要由终端决定,终端区耗尽层边界的曲率半径制约了击穿电压的提升.横向变掺杂(Variable Lateral Doping)技术是调整深阱杂质的注入开窗和掩膜间距,在终端形成一个渐变的P型轻掺杂区,使反向偏压下终端区耗尽层边界的曲率半径变大.通过计算机仿真软件Sentaurus TCAD设计了一种650 V横向变掺杂结构终端.仿真结果表明,横向变掺杂结构终端可以有效缩小芯片面积和提高击穿电压,横向变掺杂结构终端的反向击穿电压为700 V,终端长度为118μm.与有相同击穿电压的场限环结构终端相比,其终端长度减小了25.8%.此外,工艺设计复杂,但设计方法可以作为实际制造的参考.

垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)、场限环、横向变掺杂、击穿电压、终端、功率器件

37

TN386(半导体技术)

国家自然科学基金重点项目61531016;四川省科技支撑计划重点项目2017GZ0110

2018-10-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

37

2018,37(9)

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