TSV封装内部缺陷的温度分布影响研究

摘要：

为了掌握TSV内部缺陷的外在表现形式,针对填充缺失、 含有缝隙和底部空洞三种常见的TSV内部缺陷,分别建立了有限元模型,进行了热电耦合条件下的热有限元分析.得到了含缺陷和无缺陷TSV的温度分布云图,并分析了TSV层上指定路径温度分布变化的规律.结果表明:从整体上来看,所有含缺陷的TSV均显示出了与正常结构明显不同的温度分布.相比而言,在三种缺陷中,含有填充缺失的TSV显示出最明显的温度分布及路径变化差异;其次为底部有空洞的TSV;而具有缝隙的TSV差异最小.由此可见,TSV内部缺陷导致的外部温度差异特征,可为TSV内部缺陷的识别和检测提供有效的信息.

关键词：TSV、内部缺陷、有限元分析、热电耦合条件、温度分布、识别和检测

所属期刊栏目：37

分类号：TN305.94(半导体技术)

资助基金：精密测试及仪器国家重点实验室开放基金pilab1708;国家重点研发计划资助项目2017YFF0204802

在线出版日期：2018-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：87-92