GaAs(100)上外延Pb(Zr0.52 Ti0.48)O3(101)铁电薄膜的制备与性能研究

摘要：

采用激光分子束外延技术,在GaAs(100)衬底上,利用SrTiO3(STO)/TiO2复合缓冲层生长外延Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜.TiO2/STO复合缓冲层的引入用来减小晶格失配和界面互扩散,达到提高外延PZT铁电薄膜的结晶质量和电学性能的目的.TiO2和STO的生长通过原位反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控.该异质结构的面外外延关系为PZT(101)//STO(110)//TiO2(110)//GaAs(100).PZT/STO/TiO2/GaAs异质结构在电场为-250×103 V/cm时漏电流密度低于1×10-6 A/cm2,剩余极化强度(2Pr)高达24×10-6 C/cm2.此外,在模拟太阳光(AM 1.5G)照明下,这种异质结构通过剩余极化增强的光电转换效率为10.01％.

关键词：激光分子束外延、外延PZT、GaAs衬底、SrTiO3(STO)/TiO2缓冲层、铁电性能、光伏性能

所属期刊栏目：37

分类号：O484.1;O484.4+1(固体物理学)

资助基金：国家重点研究与发展计划2016YFB0700201;国家自然科学基金51372030

在线出版日期：2018-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：40-44