导电SrTiO3上脉冲激光沉积非晶HfO2薄膜的漏电机理分析

摘要：

利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3表面导电层上方制备非晶HfO2栅介质薄膜,通过磁控溅射技术在非晶HfO2栅介质薄膜上方制备直径为100μm的圆形Pt电极,研究了变温条件下Pt/HfO2/SrTiO3的漏电流I-V特性,分析了非晶HfO2栅介质层的漏电机制,如空间电荷限制电流机制、Fowler-Nordheim导电机制、Pool-Frenkel发射机制、 肖特基发射机制.研究结果表明在低压段(<0.18 V)为欧姆导电;在高压段(>0.5 V)为Pool-Frenkel发射机制.

关键词：脉冲激光沉积、非晶薄膜、SrTiO3表面导电层、HfO2栅介质、I-V特性、漏电机制

所属期刊栏目：37

分类号：O487(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目U1435208

在线出版日期：2018-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：30-35