制备工艺对超薄NiFe薄膜AMR效应的影响

摘要：

NiFe薄膜广泛用于制作磁阻器件.本文系统研究了Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度、 退火温度和退火时间对厚度小于20 nm的超薄NiFe薄膜AMR效应的影响.研究结果表明:随着Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度以及退火温度的增加,AMR系数呈现先升高后降低的变化规律.最佳的超薄NiFe薄膜AMR效应的工艺条件为,Ta缓冲层为5 nm,NiFe薄膜为11 nm,退火温度为350℃,退火时间为3.5 h.本文工作可以支持超薄NiFe薄膜磁阻器件的开发.

关键词：NiFe薄膜、Ta缓冲层、AMR效应、真空磁场退火、磁控溅射、超薄金属薄膜

所属期刊栏目：37

分类号：TM271(电工材料)

资助基金：国家重点研发计划项目2017YFB0406400

在线出版日期：2018-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：26-29,35