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10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.06.014

CMOS射频前端LNA的设计

引用
采用TSMC RF CMOS 0.13μm工艺设计了一款共源共栅结构的低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),该放大器应用于移动通信主流标准TD-SCDMA 2 GHz中.先初步计算电路参数,后经ADS调谐折中选择电路参数.利用安捷伦公司(Agilent)射频EDA平台ADS2009对电路进行仿真.结果表明,该LNA在1.2 V电源电压下,功耗仅为3 mW,正向功率增益为18.96 dB,输入输出匹配均小于-30 dB,噪声系数为1.15 dB,且输入1 dB压缩点为-9 dBm,满足预期的设计要求.

低噪声放大器、CMOS、ADS、共源共栅、匹配、射频

37

TN432(微电子学、集成电路(IC))

国家自然科学基金-地区基金61661049

2018-07-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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51-1241/TN

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2018,37(6)

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