10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.06.005
磁控溅射法制备纳米铜膜及其电学性能研究
实验通过控制镀膜温度、 功率、 压力和时间的工艺条件,采用磁控溅射法在玻璃基板表面沉积纳米Cu膜,利用XRD、SEM和四探针测试议测试分析研究了其晶体结构、 形貌结构和电阻率.结果表明:随着镀膜温度的升高,薄膜内部晶界增多,导电性能基本无差异,膜层均匀性变好.镀膜功率与晶粒尺寸两者之间呈正线性关系.与之相反,随着镀膜压力的增加,晶粒尺寸有轻微减小趋势.镀膜功率和压力与膜层均匀性都成非线性关系.随着镀膜时间的增加,膜厚与之成线性关系增加,晶粒尺寸基本不变,电阻率有减小趋势.镀膜温度、 功率、 压力和时间对成膜择优取向无显著影响.
薄膜晶体管、磁控溅射、铜膜、电阻率、择优取向、工艺条件
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TB383(工程材料学)
2018-07-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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