射频反应磁控溅射制备ZnO薄膜的工艺研究

摘要：

ZnO因其制备成本低和优异的压电性能在薄膜体声波器件中得到广泛应用.本文采用射频反应磁控溅射法,以Au为底电极,在硅(100)衬底上沉积了氧化锌(ZnO)薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、 原子力显微镜(AFM)、 台阶仪对不同工艺参数下制得薄膜的晶体结构、 表面形貌和厚度进行了表征.研究了溅射功率、 溅射气压和溅射气氛对ZnO薄膜结构影响,讨论了溅射功率和薄膜形貌及厚度的关系.结果显示在溅射功率为200 W、 溅射气压0.8 Pa、 氧氩体积流量比为0.4时,ZnO薄膜的c轴取向性最高,表面粗糙度最低,可用于压电器件.

关键词：ZnO薄膜、反应溅射、晶体结构、溅射工艺、表面形貌、薄膜厚度

所属期刊栏目：37

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2018-07-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：18-22