面向射频微系统应用的圆片-芯片集成工艺技术研究

摘要：

利用Au-Sn共晶合金反应实现硅基圆片-芯片(Die to Wafer)键合是一种可行的集成方案,通过优化关键实验条件改善圆片-芯片键合层质量及键合强度,探索出适合射频微系统应用的D2W集成工艺条件;使用扫描电子显微镜(SEM)观察各组圆片-芯片界面质量状态,分析其键合层元素组成;在常温及300 ℃高温下完成水平推力测试,分析了键合样片键合强度和耐高温水平.结果表明:键合压力、Sn浸润时间、Au-Sn共晶合金温度及时间、芯片键合前处理等条件对键合层质量影响较大;对芯片进行前处理,使用少量助焊剂,240 ℃浸润2 min,并在温度为290 ℃、压力为4 N的条件下键合6 min,可以得到具备良好键合层质量的键合样片,水平推力达到55 N.

关键词：圆片-芯片、射频微系统、异构集成、共晶合金、Au-Sn键合、剪切强度

所属期刊栏目：37

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2018-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：82-87