GaN基HEMTs器件热测试技术与应用进展

摘要：

本文简述了半导体器件的温度测量方法,重点介绍了适用于氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMTs)器件的四种热测试技术及其在GaN基HEMTs器件的应用情况.分析表明四种方法具有其各自的优劣之处:电学法虽然只能得到结区平均温度,但能对器件进行直接测量而无需破坏封装;红外法虽然空间分辨率较低,但能简便得到器件温度分布图和进行器件的静态、动态测量;拉曼散射技术具有约1μm的高空间分辨率的优点,但需要逐点扫描、测量耗时长,适合于局部小范围的温度测量;热反射法具有亚微米量级的高空间分辨率,能简便得到器件温度分布图,十分适合用于GaN基HEMTs器件的热测试中.最后指出先进的热反射法很可能成为GaN基HEMTs器件热特性研究的发展方向.

关键词：GaN、热测试、综述、电学法、红外辐射、拉曼散射、热反射

所属期刊栏目：36

分类号：TN307(半导体技术)

资助基金：广东省自然科学基金项目资助2016A030310361,2015A030310331;技术基础科研项目资助JSZL2016610B001;广东省自然科学杰出青年基金项目资助2015A030306002;广东特支计划科技创新青年拔尖人才项目资助2015TQ01X030;微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室基金

在线出版日期：2017-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

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