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10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.07.011

制备条件对Bi2Te3薄膜导电性能的影响

引用
通过物理气相沉积法在石英基底上于不同条件下制备出五种Bi2Te3薄膜,并且利用扫描电子显微镜和XRD对各薄膜样品进行表征,最后运用四探针测试法测试样品导电性能.结果表明:制备温度和沉积时间对Bi2Te3薄膜的表面形貌和样品膜的导电性能影响很大;制备温度越高、沉积时间越长,所制薄膜的均匀度及致密度越高、导电性越好.

Bi2Te3薄膜、物理气相沉积法、扫描电子显微镜、四探针测试法、制备温度、沉积时间

36

O484.4(固体物理学)

河南省科技技术重点研究项目资助12A140003

2017-08-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

56-61

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电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

36

2017,36(7)

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