10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.05.004
铌酸钾钠纳米棒阵列的取向生长和压电性能研究
采用水热法在不同取向的单晶SrTiO3(STO)衬底表面生长了正交相铌酸钾钠(KNN)一维纳米结构.在(100)-SrTiO3衬底表面可实现铌酸钾钠纳米棒阵列的取向生长;而在(110)和(111)-SrTiO3表面都分别生长着多取向一维纳米结构.TEM和XRD结果均表明,(100)-SrTiO3表面的纳米棒为单晶正交相结构,且沿[110]取向生长.此外,单根铌酸钾钠纳米棒的轴向压电常数可达到150 pm/V,利用该纳米棒阵列组建的纳米发电机的输出电压高达10 V.
铌酸钾钠、纳米棒阵列、水热法、取向生长、压电性能、纳米发电机
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TN384(半导体技术)
国家自然科学基金资助10504099;湖北自然科学基金资助2013CFB014
2017-06-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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