无压烧结SiC-AlN复相陶瓷导热和介电性能的研究

摘要：

添加10%(质量分数)BaO-SiO2-Y2O3烧结助剂在氮气氛下无压烧结制备SiC-AlN复相陶瓷.研究了SiC含量、烧结温度对复相陶瓷烧结性能、显微结构、热导率和高频介电性能的影响.结果表明:样品中主晶相为6H-SiC和AlN,次晶相为Y3Al5O12和Y4Al2O9;当SiC质量分数为50%时,1850℃烧结1 h,显气孔率低于0.3%;而SiC含量继续增加,显气孔率显著上升.热导率、介电常数和介电损耗都随着烧结温度的升高而升高.当SiC质量分数为50%时,1900℃下复相材料呈现最好的热扩散系数和热导率,分别为26.3 mm2·s–1和61.5 W·m–1·K–1;1850℃下获得的SiC-AlN复相陶瓷在12.4~18 GHz频率范围内获相对介电常数和介电损耗分别为33~37和0.4~0.5,该频段内随频率升高,介电常数和介电损耗下降.

关键词：SiC-AlN、无压烧结、BaO-SiO2-Y2O3烧结助剂、氮气氛、热导率、介电性能

所属期刊栏目：36

分类号：TN28(光电子技术、激光技术)

资助基金：江苏高校优势学科建设工程项目;长江学者和创新团队发展计划资助项目IRT1146

在线出版日期：2017-06-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：6-11