10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.04.012
氧气等离子处理对MIM结构ZrAlO薄膜电容性能的影响
探讨了氧气等离子处理法对基于ZrA1O薄膜的MIM结构电容电学性能的低温工艺优化.ZrA1O薄膜用射频磁控溅射法制得,之后在不改变真空条件的情况下进行ZrAlO薄膜的氧气等离子处理.氧空位是影响薄膜电容性能的主要因素,通过改变氧气流量和等离子功率等处理条件可以影响氧空位的分布状态.通过分析受氧空位影响的电容电学性能,最终确定的等离子处理工艺可以使薄膜漏电流降低三个数量级以上,同时非线性电压系数减小约60%.
MIM电容、氧空位、ZrAlO、等离子、溅射、漏电流
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TN604(电子元件、组件)
福建省自然科学基金资助项目2010J05136;福建省教育厅基金资助项目JA11158
2017-05-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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