10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.04.011
Si掺杂SnO2基气体传感器抗湿性能研究
研究了以Si掺杂SnO2作为热线型气体传感器补偿元件材料来提高SnO2基气体传感器抗湿度干扰能力.采用共沉淀法制备Si掺杂SnO2作为补偿元件材料,Sb掺杂SnO2作为敏感元件材料,并对所制备材料进行表征.考察了Sb掺杂量对传感器响应值影响和Si掺杂SnO2对抗湿性能影响,同时讨论了抗湿性能机理.结果表明,敏感元件材料中摩尔比Sb/Sn为6%使SnO2基传感器对体积分数1000×10-6 H2灵敏度由108 mV提高至435 mV,补偿元件材料摩尔比Si/Sn为0.7%使湿度引起的响应值相对误差降至8.8%.
电子技术、SnO2、热线型气体传感器、Si掺杂量、湿度、H2
36
TN389(半导体技术)
河南省产学研合作项目资助162107000015;河南省教育厅重点项目资助14A530001
2017-05-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
56-59,70