杂质对二硫化钼场效应晶体管磁滞效应的影响
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.04.010

杂质对二硫化钼场效应晶体管磁滞效应的影响

引用
二硫化钼(MoS2)具有优异的理化性能,但是磁滞效应限制了其在半导体器件上的大量应用.研究了化学气相沉积法(CVD)生长的MoS2薄膜制备的悬置和非悬置场效应晶体管在室温下(20℃左右)的电学特性曲线.发现非悬置场效应晶体管和悬置场效应晶体管中都存在磁滞现象,但是非悬置场效应晶体管的磁滞现象比悬置场效应晶体管更强.说明在样品制备过程中引入的水分子和氧分子等杂质吸附在样品表面和衬底与样品之间的界面上,这些杂质能从沟道材料的导带中转移电子充当载流子导致了磁滞效应的发生.

MoS2、场效应晶体管、悬置、非悬置、磁滞、电学特性曲线

36

TN386(半导体技术)

国家自然科学基金资助项目51675246;镇江市工业支撑项目GY2016014

2017-05-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

52-55

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

36

2017,36(4)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn