快速退火温度对Ag/SrTiO3/p+-Si器件阻变特性的影响

摘要：

采用溶胶-凝胶结合快速退火工艺在p+-Si基片上制备了SrTiO3薄膜,构建了Ag/SrTiO3/p+-Si结构的阻变器件,研究了退火温度对薄膜微观结构、阻变特性的影响.结果表明:不同退火温度下薄膜均呈结晶态,并且随退火温度升高,薄膜晶粒有增大的趋势,当退火温度为750℃时,薄膜的衍射峰不明显并且有杂峰出现.不同退火温度下Ag/SrTiO3/p+-Si器件都具有明显的双极性阻变特性,但退火温度为850℃与900℃的器件在扫描电压达到某一值时电流会出现一个极小值;经850℃退火处理的器件具有更高的高低电阻比(103～104).当退火温度为800℃及更高时,器件在高阻态下的导电机制以肖特基势垒发射机制为主;低阻态的电荷传导机制则遵循空间电荷限制电流机制(SCLC).器件在200次可逆循环测试下,退火温度为850℃时袁现出较好的抗疲劳特性.

关键词：Ag/SrTiO3/p+-Si、快速退火、溶胶-凝胶、退火温度、阻变存储器、导电机制

所属期刊栏目：36

分类号：TN604(电子元件、组件)

资助基金：国家自然科学基金资助51262003;广西自然科学基金资助2015GXNSFAA139253

在线出版日期：2017-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：46-51