CeO2缓冲层对蓝宝石基Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构和介电性能的影响

摘要：

利用磁控溅射法制备CeO2缓冲层,通过脉冲激光沉积法制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,在A12O3(1102)蓝宝石基片上构架了Pt/BST/CeO2/A12O3和Pt/BST/A12O3叉指电容器,对比研究了CeO2缓冲层对BST薄膜结构和叉指电容器介电性能的影响.通过X射线衍射仪、原子力显微镜和LCR表分别对叉指电容器的结构、表面形貌和介电性能进行了表征.实验发现,直接沉积在蓝宝石上的BST薄膜为多晶结构,生长在CeO2缓冲层上的BST为(001)取向的高质量外延薄膜.生长在CeO2缓冲层上的BST薄膜相对于没有缓冲层的BST薄膜具有更小的晶粒和均方根粗糙度.在40 V偏置电压下,Pt/BST/A12O3和Pt/BST/CeO2/A12O3叉指电容器的调谐率分别是13.2％和25.8％;最小介电损耗为0.021和0.014.结果表明CeO2缓冲层对生长在蓝宝石基片上的BST薄膜结构和介电性能具有重要影响.

关键词：Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜、CeO2缓冲层、蓝宝石衬底、外延薄膜、介电性能、叉指电容器

所属期刊栏目：36

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金资助11374086;河北省自然科学基金资助E2014201188,E2014201063

在线出版日期：2017-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：27-31