3D表面碳纳米管薄膜的生长及其强流脉冲发射的增强

摘要：

本文采用气相化学沉积(CVD)法在具有镍层的三维硅基底上制备了碳纳米管薄膜（3D-CNTs），硅基底表面的三维微结构采用湿法刻蚀法制作，镍层采用化学镀的方法制备，碳纳米管生长均匀，列阵整齐，并垂直于基底表面。为了研究碳纳米管薄膜的强流脉冲发射特性，在相同的主Marx电压下采用二极结构（相同的二极管电压放电条件下）对碳纳米管薄膜进行重复脉冲发射实验。结果发现，在相同的脉冲电压下，3D-CNTs薄膜冷阴极相对平面基底上制备的碳纳米管薄膜（P-CNTs）冷阴极不仅有较高的强流脉冲发射电流和电流密度，还具有更好的强流脉冲发射稳定性。

关键词：碳纳米管、强流脉冲发射、3D微结构、稳定性、气相化学沉积、湿法刻蚀

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分类号：O462.4(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金资助11404291;航空科学基金项目No.12014ZF55013,2015ZF55013；河南省科技创新杰出人才项目No.1164200510006；河南省高等学校重点科研项目计划115A140042

在线出版日期：2017-03-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：40-44