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10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.12.004

不同底层对CoFeB/Pt多层膜垂直磁各向异性的影响研究

引用
采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了以Ru,Cu,Pt和Ta为底层的CoFeB/Pt多层膜样品,研究了各底层对CoFeB/Pt多层膜的反常霍尔效应的影响.发现Ru和Cu作为CoFeB/Pt多层膜的底层在保持样品的垂直磁各向异性方面的作用远不如Pt和Ta底层,而且样品的霍尔电阻比Pt和Ta做底层要小.Ta作为CoFeB/Pt多层膜的底层与Pt作为底层相比能够更好地和多层膜晶格匹配,并且在400℃退火后反常霍尔效应得到增强.霍尔电阻提高近80%,矫顽力达到了5.7×103 A·m-1,有望作为垂直自由层应用到磁隧道结构中.

CoFeB/Pt多层膜、反常霍尔效应、垂直磁各向异性、底层、热稳定性、磁隧道结

35

O469(真空电子学(电子物理学))

国家自然科学基金资助11174020;北京工商大学特色科研团队项目资助19008001076

2017-02-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

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2016,35(12)

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