Gd掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷材料压敏性能的影响

摘要：

采用固相法制备了Ca1-xGdxCu3Ti4O12(x=0～0.09)陶瓷系列样品,利用X射线衍射、Raman光谱和正电子湮没等技术手段,对系列样品的微观结构、缺陷浓度进行测试和表征.结果表明,在整个掺杂范围内体系未发生结构相变,掺杂引起体系晶格膨胀、分子极化率增加;随Gd掺杂量x的增加,空位型缺陷增加.电性能测试结果表明,适量Gd掺杂(x=0.01)有利于改善体系的压敏性能,而过量Gd掺杂(x=0.07-0).09)会阻碍晶界势垒的形成,因而抑制体系的压敏性能.讨论了体系微观结构、空位型缺陷浓度及晶界势垒高度等因素对体系压敏性能的影响特征.

关键词：Ca1-xGdxCu3Ti4O12陶瓷、微观结构、分子极化、缺陷浓度、压敏性能、势垒高度

所属期刊栏目：35

分类号：TM28(电工材料)

资助基金：国家自然科学基金资助项目11175159

在线出版日期：2016-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：20-24