氧化钨基室温气敏传感器的研究进展

摘要：

氧化钨(WO3)基半导体气体传感器对NO2等气体具有较好的气敏特性.为了将传感器工作温度降低至室温,研究者们尝试了各种方法,如合成新型纳米材料、紫外光和可见光照射等.主要介绍了近年来WO3基气敏材料在室温条件下其气敏性能的最新研究进展,展现了近年来WO3基室温气体传感器的最新研究成果.并提出通过合成具有p-n异质结构的材料、开发新型纳米结构、增加材料中氧空位浓度以减小材料带隙宽度有可能是WO3室温气体传感器下一下阶段的研究重点.

关键词：氧化钨(WO3)、室温、综述、气体传感器、气敏性能、半导体材料、二氧化氮

所属期刊栏目：35

分类号：TP212.2(自动化技术及设备)

资助基金：国家自然科学基金青年科学基金项目资助51402255;江苏省基础研究计划-青年基金资助BK20140487

在线出版日期：2016-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：6-11