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10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.08.007

能量密度和重复频率对PLD法制备ZnS薄膜性质的影响

引用
利用脉冲激光沉积法在玻璃基片上、以不同的能量密度和重复频率制备了一系列ZnS薄膜.利用X射线衍射、X射线能量色散谱、紫外-可见-近红外分光光度计,对ZnS薄膜的晶体结构、化学组分、光学特性等进行表征.结果表明:所制备ZnS薄膜为富硫贫锌,结晶质量良好,为(002)晶面择优取向生长.能量密度为7.5 J/cm2、重复频率为2Hz是生长高质量ZnS薄膜的条件,其所制备的ZnS薄膜为纤锌矿结构,结晶程度最高,择优取向度最高(189.2),Zn/S摩尔比值接近化学计量比,堆积密度最大(0.967),可见光透过率高,禁带宽度为3.55 eV.

ZnS薄膜、脉冲激光沉积、能量密度、重复频率、择优取向、透过率

35

TN304;O484(半导体技术)

国家自然科学基金资助项目51272061

2016-10-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

27-32

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电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

35

2016,35(8)

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