10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.07.017
一种“L-2L”传输线去嵌入方法的优化分析
介绍了一种基于硅基微波共面波导传输线的“L-2L”去嵌入技术的改进方法。该方法可更加精确地剥离在片器件S参数中探针焊盘寄生效应的影响。利用ADS软件对无焊盘的理想传输线结构进行了电磁仿真,确立了去嵌入结果精确度的判定标准。使用GSG微波探针提取了测试样品的S参数,推导了π型寄生参量等效电路模型中并联导纳Y不同位置(m=0,0.5,1)下左、右探针焊盘的ABCD矩阵,得到了去嵌入后在片器件的本征传输特性S参数,并结合电磁仿真对比。结果表明:m=1时,其S参数曲线与仿真结果最为接近(平均偏差量ΔS11=18.431,ΔS21=4.405,ΔS=11.418)。对于不同在片测试器件需要着重考虑m的取值。
共面波导、传输线、S参数、寄生效应、去嵌入、测量
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金资金资助项目No.61361004;广西科学研究与技术开发计划资助项目桂科转14124005-1-7
2016-07-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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