脉冲激光沉积法制备ZnSnO3薄膜

摘要：

采用脉冲激光沉积法(PLD),在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备LiNbO3型ZnSnO3薄膜.通过改变生长过程中的氧气压、生长温度等实验条件,研究制备薄膜的最佳工艺参数.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行分析.研究表明,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备ZnSnO3薄膜优化条件是氧气压30 Pa、沉积温度600℃,并使用ZnO作为缓冲层.优化条件下制备的ZnSnO3薄膜有良好的(006)取向,与ZnSnO3单晶衍射峰位置一致.

关键词：脉冲激光沉积法、LiNbO3型ZnSnO3、微观结构、氧气压、沉积温度、ZnO

所属期刊栏目：35

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然基金项目资助51372030

在线出版日期：2016-08-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：48-51