有源层厚度对氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的影响

摘要：

使用磁控溅射法制备了IGZO-TFT,研究有源层厚度对其电学性能的影响.实验结果表明,器件的阈值电压和开关比会随着有源层厚度的增大而减小,而器件的亚阈值摆幅和饱和迁移率则会随有源层厚度的增大而增大.此外,还研究了有源层厚度对器件偏压稳定性的影响.有源层厚度越大的器件,其阈值电压漂移也会越大.这主要与半导体层中所增加的缺陷态密度有关.

关键词：氧化铟镓锌、薄膜晶体管、有源层厚度、迁移率、氧空位、稳定性

所属期刊栏目：35

分类号：TN321(半导体技术)

资助基金：上海市自然科学基金项目资助13ZR1428200;上海理工大学国家级项目培育基金资助14XPM06

在线出版日期：2016-08-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：44-47