SnO 2纳米线基场效应晶体管的电学性能研究

摘要：

基于气-液-固生长机理和原位掺杂技术，成功制备了2%（质量分数）Sb掺杂SnO 2纳米线，所制器件可以在低压环境下工作且不受栅漏电的影响；将该纳米线作为场效应晶体管的沟道，分析了不同比例的Sb掺杂对晶体管电学性能参数的影响。结果显示：Sb质量分数由0.5%增加到2.5%时，随着Sb掺杂量的增大，晶体管的稳定性增强，但栅电压的调控能力减弱，晶体管功耗增大且对空穴和电子的迁移能力减弱。

关键词：SnO2纳米线、晶体管、Sb掺杂、电学性能、栅电压、功耗

所属期刊栏目：35

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：陕西铁路工程职业技术学院科研基金项目2013-35

在线出版日期：2016-05-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：50-53