负偏压对磁控溅射Mg 2 Si薄膜的影响

摘要：

采用直流磁控溅射加负偏压方法和退火工艺制备了Mg 2 Si半导体薄膜，研究了不同负偏压对Mg膜的沉积速率、Mg 2 Si薄膜结构以及电阻率的影响。结果表明，随着负偏压的增大，因压实膜层和二次溅射效应，Mg膜的沉积速率越来越小；在未加负偏压时，Mg 2 Si薄膜的衍射峰最强、样品表面平整致密，当衬底加上负偏压后，Mg 2 Si衍射峰都有所减弱，样品表面变得凹凸不平；当负偏压达到–150 V时，表面已呈现明显的熔融状态，表明负偏压对Mg2Si薄膜的晶体结构没有有益影响。Mg2Si薄膜的电阻率随着所加负偏压的增大先减小后增大，并在–90 V时达到最小值。

关键词：Mg2Si薄膜、负偏压、磁控溅射、沉积速率、表面形貌、电阻率

所属期刊栏目：35

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目No.61264004；贵州省科学技术基金资助项目No.黔科合J字[2013]2209号；贵州省科技攻关资助项目No.黔科合GY字[2011]3015；贵州省国际科技合作资助项目黔科合外G字[2012]7004,[2013]7003

在线出版日期：2016-05-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-38