Cu2O氧气流量对ZnO-Cu2O薄膜异质结特性的影响

摘要：

利用磁控溅射法在BK-7玻璃基片上制备了ZnO-Cu2O薄膜异质结。利用X射线衍射、分光光度计和范德堡方法分析了不同氧气流量对 Cu2O 单层薄膜的结构、光学和电学性质的影响，并分析了不同氧气流量制备的Cu2O对ZnO-Cu2O异质结I-V特性的影响。研究结果表明：ZnO-Cu2O薄膜异质结样品的I-V曲线具有二极管的整流特性，样品的正向阈值电压随着Cu2O氧气流量的增加而增大。较大正向电流的样品（氧气流量为10.6 sccm）具有较小的串联电阻和泄露电阻，以及较大的载流子浓度。

关键词：磁控溅射、氧化亚铜、氧气流量、薄膜、异质结、I-V特性

所属期刊栏目：35

分类号：TN365(半导体技术)

资助基金：福州大学科技发展基金资助2013-XY-30

在线出版日期：2016-05-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：25-28