退火处理对磁控溅射制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响

摘要：

采用磁控溅射法在普通玻璃上制备了Ga掺杂ZnO（GZO）薄膜，研究了退火处理对GZO薄膜组织结构、表面形貌及光电性能的影响，并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、紫外分光光度计、四探针测试仪等对GZO薄膜的表面形貌、晶体结构、透光率及电阻率等进行测量与表征。结果表明：400~800℃退火对GZO薄膜的生长方式影响较小，所制薄膜均在（002）晶向沿c轴择优取向，退火温度对薄膜表面形貌影响较大，退火温度为600℃时，薄膜表面致密、平整，结晶质量最好，薄膜的透光率超过95%，电阻率最低为4.9×10?4?·cm。

关键词：退火处理、磁控溅射、GZO薄膜、组织结构、表面形貌、光电性能

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：上海工程技术大学研究生科研创新项目14KY0512

在线出版日期：2016-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：41-43,47