一种X频段RF MEMS开关的设计与仿真

摘要：

设计了一种可用于X频段的射频微机电系统（RF-MEMS）的开关。它通过上电极中心以及两端的螺旋结构提高了等效电感值，减小了谐振频率，从而在较低的频段下实现了较好的隔离度。采用阻抗匹配改善开关结构的射频性能。利用Ansoft HFSS软件仿真分析了开关关键结构参数对电磁性能的影响，包括绝缘介质层厚度k，上电极与下电极之间空气层厚度o、上电极宽度w和上电极间距m，总结了各参数对电磁性能的影响趋势，确定了各参数的最优取值。在整个X频段，开关开态时的插入损耗小于0.83 dB（绝对值，下同）；关态时的隔离度大于18.5 dB。在中心频率10 GHz的插入损耗为0.57 dB，隔离度为30.65 dB。

关键词：RF MEMS开关、螺旋结构、HFSS软件、X频段、插入损耗、隔离度

分类号：TH703;TN63(仪器、仪表)

在线出版日期：2015-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：69-72