溅射时间对于Mg 2 Si/Si异质结的影响

摘要：

采用射频磁控溅射沉积并结合热处理制备Mg2Si/Si异质结，研究了溅射时间对Mg2Si/Si异质结的结构以及电阻率的影响。首先在P型Si衬底沉积不同厚度的Mg膜，然后进行低真空热处理，制备不同厚度的Mg 2 Si/Si异质结。通过XRD、SEM对Mg2Si/Si异质结中Mg2Si的晶体结构、异质结表面和剖面形貌进行分析，结果表明：制备了单一相Mg2Si薄膜，Mg2Si(220)衍射峰最强，异质结界面平整。通过四探针仪测量电阻率进行分析，发现电阻率随Mg 2 Si膜厚的增加而减小。

关键词：硅化镁/硅异质结、射频磁控溅射、溅射时间、X射线衍射、表面形貌、电阻率

分类号：TN304.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目No.61264004；科技部国际科技合作专项资助项目No.2008DFA52210；贵州省自然科学基金资助项目黔科合J字[2014]2052

在线出版日期：2015-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：46-49