基于量子模型的碳纳米管场效应晶体管电子输运特性

摘要：

采用量子输运模型和NEGF理论，自洽求解薛定谔方程和泊松方程，对类MOS-碳纳米管场效应晶体管的电子输运特性建模。考察了沟道长度Lg为5~25 nm时，其对器件的导通电流、阈值电压、关态泄漏电流、电流开关比、亚阈值摆幅等性质的影响。结果表明：当Lg≥15 nm时，MOS-CNTFET没有量子尺寸效应；当Lg＜15 nm时，器件出现短沟道效应；Lg＜10 nm时短沟道效应更加明显。

关键词：碳纳米管、场效应晶体管、量子输运模型、电子输运特性、沟道长度、NEGF

分类号：TB383(工程材料学)

在线出版日期：2015-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：28-30