10.14106/j.cnki.1001-2028.2014.12.021
一款700 V功率场效应管失效分析与改进
对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析,并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计,在215μm的终端长度上实现了779 V的耐压。结果表明,其硅表面最大场强为2.65×105 V/cm,有效解决了芯片失效问题,提高了器件的可靠性。同时终端长度比原失效终端长度缩小了13%,有效减小了器件的面积。
功率场效应管、失效分析、可靠性、终端结构、击穿电压、芯片面积
TN386(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目No.61271090;国家高技术研究发展计划“863计划”重大项目资助2012AA012305
2014-12-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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