一款700 V功率场效应管失效分析与改进

摘要：

对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析，并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计，在215μm的终端长度上实现了779 V的耐压。结果表明，其硅表面最大场强为2.65×105 V/cm，有效解决了芯片失效问题，提高了器件的可靠性。同时终端长度比原失效终端长度缩小了13%，有效减小了器件的面积。

关键词：功率场效应管、失效分析、可靠性、终端结构、击穿电压、芯片面积

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目No.61271090；国家高技术研究发展计划“863计划”重大项目资助2012AA012305

在线出版日期：2014-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：82-85