光激发下单层二硫化钼导电能力下降

摘要：

美国麻省理工学院和哈佛大学的研究人员发现，单层二硫化钼半导体在光激发下导电能力下降。利用这一新的光电导机制有望研制下一代激子设备。该发现发表在近日的《物理评论快报》上。<br>　　众所周知，电脑芯片及太阳能电池中使用的硅半导体在光的照射下，其导电能力增强。麻省理工学院和哈佛大学的研究人员发现，在强烈的激光脉冲照射下，只有三个原子厚的单层二硫化钼的电导率会减少到最初电导率的三分之一。该研究小组利用光学激光脉冲形成该效应，并利用时滞太赫兹脉冲来检测材料的导电响应。

机标关键词：光激发、单层、二硫化钼、激光脉冲、哈佛大学、导电能力、电导率、硅半导体、太阳能电池、太赫兹脉冲、照射、物理评论、人员、脉冲形成、电脑芯片、电导机制、子设备、电响应、增强、原子

分类号：O63;O4

在线出版日期：2014-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：69-69