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10.14106/j.cnki.1001-2028.2014.12.008

高分子辅助沉积法(PAD)制备LaBaCo2O5+δ薄膜的研究

引用
用高分子辅助沉积法在Si(001)基底上以SiO2为缓冲层成功地制备出LaBaCo2O5+δ(LBCO)薄膜。X射线衍射谱证明了LBCO/Si (001)薄膜是(111)择优取向的单相赝立方结构。从LBCO薄膜样品的SEM照片可以看出, LBCO薄膜的晶粒大小并不均匀,其大的晶粒尺寸为1~2μm,小的晶粒尺寸为0.1~0.2μm;同时,可以明显观察到一些小的空隙,这些空隙有利于氧气的吸附及扩散。在 LBCO 薄膜的电阻(R)-温度(t)曲线测试中,电阻随温度的升高先急剧下降后缓慢下降,表明LBCO薄膜具有典型的半导体材料性质。LBCO薄膜在纯氧和空气中电阻的最低值分别为36Ω和382Ω,前者为后者的1/10,说明LBCO薄膜对氧气具有敏感性。

钙钛矿、薄膜、高分子辅助沉积法、X射线衍射、表面形貌、电输运性质

O484(固体物理学)

国家教育部科学基金资助项目2012B091100097

2014-12-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

2014,(12)

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