10.14106/j.cnki.1001-2028.2014.12.007
阵列型高功率薄膜匹配负载研究
基于功率分配思想和简化实频法设计了频率为DC~20 GHz,承载功率为40 W的阵列型微波薄膜匹配负载器件;采用丝网印刷工艺和射频磁控溅射工艺制备了设计的TaN薄膜匹配负载器件。研究了所制器件的性能,结果表明,在DC~23.6 GHz,电压驻波比均小于1.3。加载功率为8,18,40 W时,薄膜表面的最高温度分别为37.6,59.5,113.6℃。热成像测试结果表明,所设计器件的两个电阻膜温度基本一致,实现了功率的平均分配。
微波匹配负载、TaN薄膜、阵列型、高功率、简化实频法、丝网印刷、射频磁控溅射
TB34(工程材料学)
教育部支撑资助项目625010305
2014-12-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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