拓扑绝缘体材料中不饱和线性磁电阻研究获进展
一直以来，大磁电阻的材料由于其在基础研究和器件应用中所起的重要作用而备受关注。半个世纪来，研究发现材料的经典磁电阻随外磁场具有二次方关系，在大磁场下，磁电阻趋于饱和。特殊的是，非饱和线性磁电阻可能存在于具有开放费米面材料中。在能隙接近零（或较小）的半导体材料中发现多种有趣的磁电阻现象，如在银掺杂Ag2+δSe和Ag2+δTe材料中发现反常大的线性磁电阻，很多理论试图解释这种非饱和线性磁电阻。在这些理论模型中，由Abrikosov等提出的“量子磁电阻”及由Parish和Littlewood提出的经典物理模型最为典型。Abrikosov 等认为零能隙半导体因为只有一个朗道能级而在大磁场下具有量子限制，从而可能产生非饱和磁电阻。Parish 和 Littlewood 则认为材料的非均匀性导致的电流涨落可能导致非饱和磁电阻。在过去几年，由于拓扑绝缘体具有零能隙狄拉克表面态，拓扑绝缘体材料的磁电阻引起越来越多研究者关注。一些研究者在拓扑绝缘体单晶、薄膜、纳米片等材料中发现线性磁电阻。他们认为单晶材料的线性磁电阻来源于材料二维无能隙拓扑表面态。另外，也有研究认为即使在单晶或薄膜材料中，电子不均匀和导电性涨落也是影响线性磁电阻的重要因素。直到现在，拓扑绝缘体材料中线性磁电阻的确切因素还不十分清楚。
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2014-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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