X波段高性能低噪声放大器的设计与实现

摘要：

设计并实现了一种适用于X波段（11~12 GHz）的高性能低噪声放大器（LNA），该低噪声放大器选用GaAs FET（MGF4941AL）低噪声半导体管，采用三级级联的方式设计，三级通过采用不同静态工作点之间的配合，达到降低放大器噪声提高增益的目的。利用微波电路仿真软件 ADS 仿真优化后加工实物并测试。测试结果表明，低噪声放大器在11~12 GHz工作频带内的噪声系数小于2 dB，输入/输出驻波比（VSWR）小于2，功率增益大于30 dB，增益平坦度小于1.5 dB，适用于X波段接收机前端。

关键词：X波段、低噪声放大器、三级级联、噪声系数、VSWR、增益

分类号：TN722.1(基本电子电路)

资助基金：南京市“321”领军人才资助项目No.20110112；江苏省“六大人才高峰”资助项目No.201201-12；江苏省科技型企业技术创新基金资助项目BC2013031

在线出版日期：2014-11-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：73-76,80