一款700 V VDMOSFET结终端结构设计

摘要：

为了提高功率器件结终端击穿电压,节约芯片面积,设计了一款700 V VDMOSFET结终端结构.在不增加额外工艺步骤和掩膜的前提下,该结构采用场限环-场板联合结终端技术,通过调整结终端场限环和场板的结构参数,在151 μm的有效终端长度上达到了772V的击穿电压,表面电场分布相对均匀且最大表面场强为2.27× 105V/cm,小于工业界判断器件击穿场强标准(2.5× 105 V/cm).在保证相同的击穿电压下,比其他文献中同类结终端结构节约面积26％,实现了耐压和可靠性的要求,提高了结终端面积的利用效率.

关键词：结终端结构、场限环、场板、结终端面积、最大表面场强、击穿电压

所属期刊栏目：33

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61271090;国家高技术研究发展计划863计划重大资助项目2012AA012305

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：89-92