一种二阶温度补偿的低功耗带隙基准源设计

摘要：

设计了一种基于BICMOS 0.5 μm工艺的低温漂高PSRR(Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比)带隙基准电路.电路的核心结构是Brokaw结构,采用自偏置启动电路,鉴于对于温漂的高要求,选用了二阶温度补偿电路.经过Hspice仿真表明:此基准电路具有良好的温度特性,5.0 V供电在233 K(-40℃)到398 K(125℃)变化时,基准输出波动范围为1.248 8～1.249 8V,温度系数为4.57×10-6/K;电路的PSRR在低频时为-77 dB;当电源电压从2.5V变化到5.0 V时,带隙基准的输入电压线性调整率为0.024％,最低工作电压为2.06 V,整体静态电流为28.39 μA.

关键词：带隙基准、BICMOS、低温漂、高PSRR、Brokaw结构、二阶温度补偿

所属期刊栏目：33

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金资助61271090;国家高技术研究发展计划863计划重大资助项目2012AA012305

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：81-84