Ga2O3和GaN混合镓源制备GaN纳米线

摘要：

采用Ga2O3/GaN、Ga2O3和GaN三种镓源,通过化学气相沉积(CVD)法,在镀有Ni催化剂的Si(100)基片上制备了GaN纳米线,使用SEM、XRD、EDS、HRTEM和PL对样品的形貌、结构、成分和发光性能进行了表征,研究了镓源与基片距离(生长温度)及催化剂种类对纳米线生长的影响.结果表明,相对于Ga2O3和GaN单一镓源,采用Ga2O3/GaN混合镓源制备出的纳米线表面更加光滑,结晶度更高.此外,GaN纳米线的最佳制备工艺参数为:氨气流量0.03 L/min,催化剂Ni,镓源与基片距离11 cm(生长温度950℃).

关键词：镓源、化学气相沉积法、氮化镓、纳米线、催化剂、发光性能

所属期刊栏目：33

分类号：TN304;TQ133.5+1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51272158

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：76-80