基于二氧化钒的温控太赫兹波吸收器研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1001-2028.2014.08.017

基于二氧化钒的温控太赫兹波吸收器研究

引用
利用二氧化钒的相变特性设计了一种温控太赫兹波吸收器.通过控制周围环境的温度来改变二氧化钒的电导率,从而实现二氧化钒从半导体态向金属态的转变.计算结果表明,当温度为40℃时,吸收器具有三个吸收峰,峰值频率分别为0.643,0.833和1.027 THz;当温度为67℃时,吸收器具有两个吸收峰,峰值频率分别为0.643THz和0.884 THz.各个峰值频率处均具有较高的吸收率,实现了良好吸收效果.

太赫兹波、二氧化钒、吸收器、多频带、吸收率、温控

33

TN91

浙江省自然科学基金资助项目LR12F05001

2016-06-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

66-69

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

33

2014,33(8)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn