10.3969/j.issn.1001-2028.2014.08.007
沉积温度对GZO透明导电薄膜结构和性能的影响
利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了镓掺杂氧化锌(GZO)透明导电薄膜,研究了沉积温度对GZO薄膜的结构、光学和电学性能的影响.结果表明:所制GZO薄膜具有(002)择优取向的六角纤锌矿结构,其折射率表现为正常色散特性,随着沉积温度的升高,所制薄膜的可见光区平均透过率单调增加,电阻率先减小后增大,晶粒尺寸和品质因数先增大后减小.当沉积温度为400℃时,所制GZO薄膜的晶粒尺寸最大(75.5 nm)、电阻率最低(1.27×10-3Ω·cm)、品质因数最高(699.2 S/cm),具有最佳的光电综合性能.
磁控溅射、GZO薄膜、沉积温度、光学性能、电学性能、品质因数
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O484.1(固体物理学)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目CZW14019;中南民族大学学术团队基金资助项目XTZ09003;国家自然科学基金资助项目61002013,11147014;湖北省自然科学基金资助项目2013CFA052
2016-06-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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