气相沉积聚酰亚胺在微型电子器件中的应用

摘要：

采用气相沉积聚合法制备了聚酰亚胺(PI)薄膜及PI与金属颗粒(Cr)复合(PI/Cr)薄膜,所制备PI薄膜表面平整,随着金属颗粒体积百分数增加,PI/Cr薄膜介电常数逐渐增大;当将PI薄膜应用于压电微机械超声换能器(pMUTs)中时,pMUTs机电耦合系数显著提高,所研制pMUTs在光声成像演示中探测到了较强的光声信号;当将PI/Cr薄膜应用于AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)中时,HEMTs的击穿电压由156 V提高到248 V,HEMTs器件的耐压能力显著改善.

关键词：气相沉积聚合、聚酰亚胺、薄膜、高介电常数介质、压电微机械超声换能器、高电子迁移率场效应晶体管

所属期刊栏目：33

分类号：TM215(电工材料)

资助基金：教育部博士点基金资助项目2012018530003

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：27-30