半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱结构在LED制备中的应用
利用选择性横向外延生长法可以沿不同的生长方向生长出不同的GaN半极性面,进而可以生长出不同的半极性多量子阱LED结构.这种结构可以实现单芯片LED的多波长发光.结果表明:通过生长模板和生长条件的改变可以控制不同GaN半极性面的形成,从而控制InGaN/GaN多量子阱LED的发光波长从蓝光到绿光甚至是白光可调控.
InGaN/GaN多量子阱、LED、多波长发光、半极性面
32
TN2;TN3
江苏省自然科学基金BK2011436资助课题
2016-06-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
69-70