半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱结构在LED制备中的应用
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱结构在LED制备中的应用

引用
利用选择性横向外延生长法可以沿不同的生长方向生长出不同的GaN半极性面,进而可以生长出不同的半极性多量子阱LED结构.这种结构可以实现单芯片LED的多波长发光.结果表明:通过生长模板和生长条件的改变可以控制不同GaN半极性面的形成,从而控制InGaN/GaN多量子阱LED的发光波长从蓝光到绿光甚至是白光可调控.

InGaN/GaN多量子阱、LED、多波长发光、半极性面

32

TN2;TN3

江苏省自然科学基金BK2011436资助课题

2016-06-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共2页

69-70

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

32

2013,32(11)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn