p型透明导电氧化物CuCrl-xMgxO2的制备及光电性能研究

摘要：

采用溶胶-凝胶法制备了CuCr1-xMgO2粉末,压制烧结形成了CuCr1-xMgxO2陶瓷样品,研究了Mg2+掺杂量和压制压强对CuCrO2粉末和陶瓷的相组成、显微结构及光电性能的影响.结果表明:随着Mg2+掺杂量从0.01增加到0.07,所制CuCr1-xMgxO2粉末对紫外-可见光的吸收度增加,光学带隙宽度由3.25eV逐渐减小到2.86eV.随着Mg2+掺杂量或压制压强的增加,其相应陶瓷样品的电导率均先增大后减小.当Mg掺杂量x为0.03,压制压强为550 MPa时,制备的CuCr0.97Mg0.03O2陶瓷样品的电导率达到最大值,为19.8S/cm.

关键词：p型半导体、CuCrl-xMgxO2、溶胶-凝胶法、电导率、光学带隙、吸收度

所属期刊栏目：32

分类号：TB36(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50971046

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：38-41