PLD法在不同氧分压下制备ZnO薄膜的XPS分析

摘要：

在不同氧分压下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜,对薄膜进行了X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分析,研究了氧分压对所制薄膜结晶质量的影响.结果表明,当氧分压为0.13 Pa时,Zn 2p和O1s态电子的结合能较大.随着氧分压的增加,Zn 2p和O1s态电子的结合能变小,说明更多的Zn原子和O原子产生了结合.氧分压为6.50 Pa时,所制ZnO薄膜的XRD衍射峰半高宽最小,其Zn、O粒子数比最接近化学计量比,说明在此氧分压下生长的ZnO薄膜结晶质量最好.

关键词：XPS、ZnO、脉冲激光沉积、氧分压、化学计量比、峰面积、结合能

所属期刊栏目：32

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目90301002

在线出版日期：2016-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：29-31,34