10.3969/j.issn.1001-2028.2013.08.008
PLD法在不同氧分压下制备ZnO薄膜的XPS分析
在不同氧分压下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜,对薄膜进行了X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分析,研究了氧分压对所制薄膜结晶质量的影响.结果表明,当氧分压为0.13 Pa时,Zn 2p和O1s态电子的结合能较大.随着氧分压的增加,Zn 2p和O1s态电子的结合能变小,说明更多的Zn原子和O原子产生了结合.氧分压为6.50 Pa时,所制ZnO薄膜的XRD衍射峰半高宽最小,其Zn、O粒子数比最接近化学计量比,说明在此氧分压下生长的ZnO薄膜结晶质量最好.
XPS、ZnO、脉冲激光沉积、氧分压、化学计量比、峰面积、结合能
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TN304(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目90301002
2016-06-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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29-31,34