10.3969/j.issn.1001-2028.2013.07.009
一种光可调太赫兹波吸收器的设计
设计了一种中心吸收频率可调的太赫兹波吸收器.在开口谐振环外侧的两个开口处填充光电半导体硅材料,通过外加光照强度可以控制半导体硅的电导率,从而实现对吸收器中心吸收频率点的灵活调节.计算结果表明,该吸收器不但可以实现中心吸收频率点大范围的调节(从0.750 THz到1.309 THz,调谐范围高达0.559 THz),而且可以实现小范围的微调(从1.312 THz到1.320 THz,调谐范围为8GHz).
太赫兹波、等效电路、吸收器、开口谐振环、光可调、吸收率
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TN91
浙江省自然科学基金资助项目LR12F05001
2016-06-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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34-36,53